AI요약

기존 전자 소자 제조의 용액 공정은 복잡하며 재료 손상 및 하부층 손상으로 인한 소자 특성 저하 문제를 겪고 있습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하기 위해 새로운 3차원 가교제 조성물과 이를 활용한 전자 소자 제조 방법을 제공합니다. 이 획기적인 가교제는 포토레지스트막 없이도 정밀한 패턴 형성을 가능하게 하여, 제조 공정을 대폭 단순화하고 소자 구성 요소의 손상을 효과적으로 방지합니다. 또한, 본 3차원 가교제를 적용한 전자 소자는 전기적 특성과 안정성이 획기적으로 향상됩니다. 특히, 유기 박막 트랜지스터, OLED, QD-LED 등 다양한 전자 소자에 적용 가능하며, 실험 결과 이동도가 최대 7배, 문턱 전압이 20배 이상 개선되는 뛰어난 성능을 보였습니다. 본 기술은 고품질 전자 소자의 효율적인 생산을 가능하게 하는 핵심 솔루션입니다.