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아주대학교 지능형반도체공학과 오일권 조교수는 혁신적인 차세대 반도체 소자 및 재료 기술 개발을 선도하고 있습니다. 특히, 원자층 증착(ALD) 공정을 활용한 초박막 박막 형성 및 제어, 그리고 강유전체(Ferroelectrics) 특성 연구 분야에서 탁월한 성과를 창출하고 있습니다. 그의 연구는 비휘발성 메모리(Ferroelectric NAND, RRAM, PRAM) 및 차세대 트랜지스터(FeFET) 등 첨단 반도체 소자의 성능 향상과 안정성 확보에 기여하고 있습니다. 다수의 SCI급 논문을 통해 증명된 그의 연구는 국내외 반도체 산업 발전에 중요한 역할을 담당하고 있습니다.
| 연구자 프로필 |  |
| 연구자 명 | 오일권 |
| 직책 | 조교수 |
| 이메일 | ikoh@ajou.ac.kr |
| 재직 상태 | 재직 중 |
| 소속 | 아주대학교 |
| 부서 학과 | 전자공학과 |
| 사무실 번호 | 0312192360 |
| 연구실 | 아주대학교 지능형반도체공학과 오일권 교수 연구실 |
| 연구실 홈페이지 | https://www.ajou.ac.kr/aisemi/faculty/faculty01.do |
| 홈페이지 | https://sdpl.ajou.ac.kr/29 |
| 회사명 | 아주대학교 |
| 재직기간 | 재직 중 |
| 담당업무 | 지능형반도체공학과·전자공학과 교수 - 새로운 비정질 준금속 나노 극초박막 물질 개발 연구 수행 |
| 연구 내용 | [연구 분야] 핵심 분야: 반도체 소자 및 공정 세부 분야: 원자층 증착(Atomic Layer Deposition), 선택적 증착, 하프늄/지르코늄 기반 고유전막, RRAM 소자, 페로브스카이트 박막 공정, 나노구조 반도체 계면 제어, 비정질 반금속 박막 [대표 연구 내용] 오일권 교수는 반도체 공정 및 소자 기술, 특히 원자층 증착(ALD) 기반 박막 형성 기술을 중심으로 활발한 연구를 수행하고 있습니다. 다양한 금속 산화물 및 하이브리드 유기-무기 박막을 정밀하게 증착하기 위한 전구체 개발과 성장 메커니즘 해석에 주력하고 있으며, 이를 기반으로 한 고유전막 응용, 비저항성 메모리(RRAM) 소자 제작, 반도체 계면의 열적 안정성 향상 등에 대한 논문을 지속적으로 발표하고 있습니다. 최근에는 SCIENCE, ACS Applied Materials & Interfaces, Chemistry of Materials 등 권위 있는 국제학술지에 선택적 ALD, 하프늄 산화물 기반 박막의 상 안정화, 전기화학 응용을 위한 유무기 하이브리드막 증착 등과 관련된 연구 성과를 다수 게재하였습니다. 또한, 초박막 반금속(NbP) 계열 박막에서의 표면 전도성과 저저항 구현, 페로 일렉트릭 낸드셀에서의 디트랩 펄스 최적화 등을 통해 미래형 고성능 반도체 소자의 신뢰성 향상 및 신소자 구현 가능성을 제시하고 있습니다. 이외에도 관련 공정을 활용한 트랜지스터 채널용 금속 산화물층 제조 방법, 선택적 ALD 공정, 유량제어기 테스트장치 등과 관련한 국내 특허도 활발히 출원 및 등록하고 있습니다. |
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